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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SMD SAM
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SMD SAM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 250A（Tc） 188W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPLU250N04S41R7XTMA1
  仓库库存编号：IPLU250N04S41R7XTMA1-ND
  别名：SP001121552
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRF4104
  仓库库存编号：AUIRF4104-ND
  别名：SP001517252
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3710ZPBF-ND
  别名：*IRFU3710ZPBF
  64-4138PBF
  64-4138PBF-ND
  SP001550264
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R070P6FKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R070P6FKSA1-ND
  别名：SP001313880
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP180N55F3
  仓库库存编号：497-7512-5-ND
  别名：497-7512-5
  STP180N55F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV250N55F3
  仓库库存编号：497-7030-1-ND
  别名：497-7030-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB85NS04Z
  仓库库存编号：497-7954-1-ND
  别名：497-7954-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NM60ND
  仓库库存编号：497-8448-5-ND
  别名：497-8448-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW30NM60ND
  仓库库存编号：497-8458-5-ND
  别名：497-8458-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NM60ND
  仓库库存编号：497-8475-1-ND
  别名：497-8475-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB185N55F3
  仓库库存编号：497-7940-1-ND
  别名：497-7940-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF30NM60ND
  仓库库存编号：STF30NM60ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200N6F3
  仓库库存编号：497-9096-5-ND
  别名：497-9096-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB35N15T4
  仓库库存编号：NTB35N15T4OS-ND
  别名：NTB35N15T4OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 75A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB75N05HDT4
  仓库库存编号：MTB75N05HDT4OS-ND
  别名：MTB75N05HDT4OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254NPBF
  仓库库存编号：IRFP254NPBF-ND
  别名：*IRFP254NPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB16N60LPBF
  仓库库存编号：IRFB16N60LPBF-ND
  别名：*IRFB16N60LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP15N60LPBF
  仓库库存编号：IRFP15N60LPBF-ND
  别名：*IRFP15N60LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Ta） 214W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP30N20G
  仓库库存编号：NTP30N20GOS-ND
  别名：NTP30N20GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 70A（Tc） 130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB7051
  仓库库存编号：NDB7051-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 64A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP7061
  仓库库存编号：NDP7061-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 34A（Tc） 161W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF59N30
  仓库库存编号：FDAF59N30-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 36A（Tc） 165W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF62N28
  仓库库存编号：FDAF62N28-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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