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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4N150
  仓库库存编号：497-5091-5-ND
  别名：497-5091-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW4N150
  仓库库存编号：497-5092-5-ND
  别名：497-5092-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 28A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），28A（Tc） 3.1W（Ta），32W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7524
  仓库库存编号：785-1634-1-ND
  别名：785-1634-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4435DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4435DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4420BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4420BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4925DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4925DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4925DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta），50A（Tc） 2.4W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD4141
  仓库库存编号：FDD4141CT-ND
  别名：FDD4141CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4925BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4925BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4925BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7848BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7848BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7848BDP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7848BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7848BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7848BDP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4434DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4434DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4434DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA10P50PTRL
  仓库库存编号：IXTA10P50PTRLCT-ND
  别名：IXTA10P50PTRLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP10P50P
  仓库库存编号：IXTP10P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4435DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4435DDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4435DDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7619DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7619DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7619DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL3303TRPBF
  仓库库存编号：IRLL3303PBFCT-ND
  别名：*IRLL3303TRPBF
  IRLL3303PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC076N06NS3 GCT
  BSC076N06NS3 GCT-ND
  BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4294
  仓库库存编号：785-1732-1-ND
  别名：785-1732-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB22P10TM
  仓库库存编号：FQB22P10TMCT-ND
  别名：FQB22P10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28NM50N
  仓库库存编号：497-10704-1-ND
  别名：497-10704-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP28NM50N
  仓库库存编号：497-10712-5-ND
  别名：497-10712-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P50P
  仓库库存编号：IXTH10P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW4N150
  仓库库存编号：497-10004-5-ND
  别名：497-10004-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C423NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C423NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C423NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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