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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ22N50P
仓库库存编号：
IXTQ22N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N50P
仓库库存编号：
IXFH22N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6015ANX
仓库库存编号：
R6015ANX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-3PF
型号：
R6015ANZC8
仓库库存编号：
R6015ANZC8-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH28N60P3
仓库库存编号：
IXFH28N60P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220 FPK
详细描述：通孔 N 沟道 42.8A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220 整包
型号：
SUA70090E-E3
仓库库存编号：
SUA70090E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70090E-GE3
仓库库存编号：
SUP70090E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP60N25X3
仓库库存编号：
IXFP60N25X3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP60N25X3M
仓库库存编号：
IXFP60N25X3M-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA60N25X3
仓库库存编号：
IXFA60N25X3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW21N65M5
仓库库存编号：
497-10654-5-ND
别名：497-10654-5
STW21N65M5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ60N25X3
仓库库存编号：
IXFQ60N25X3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4840BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4840BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4840BDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
型号：
AOWF12T60P
仓库库存编号：
785-1702-5-ND
别名：785-1693-5
785-1693-5-ND
785-1702-5
AOWF12T60P-ND
AOWF12T60PL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12T60PL
仓库库存编号：
785-1692-5-ND
别名：785-1692-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18501Q5A
仓库库存编号：
296-30570-1-ND
别名：296-30570-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
型号：
NTB25P06T4G
仓库库存编号：
NTB25P06T4GOSCT-ND
别名：NTB25P06T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ28N60P3
仓库库存编号：
IXFQ28N60P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 115W（Tc） DPAK
型号：
BUK7215-55A,118
仓库库存编号：
1727-7150-1-ND
别名：1727-7150-1
568-9633-1
568-9633-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4840BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4840BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4840BDY-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7434DP-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
型号：
SUD70090E-GE3
仓库库存编号：
SUD70090E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ10P50P
仓库库存编号：
IXTQ10P50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4420BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4420BDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT12N60
仓库库存编号：
785-1192-5-ND
别名：785-1192-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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