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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Tj） 1.4W（Tj） 8-SOP
型号：
MCQ4435-TP
仓库库存编号：
MCQ4435-TPMSCT-ND
别名：MCQ4435-TPMSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
AOTF12N60L
仓库库存编号：
785-1788-ND
别名：785-1788
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70090E-GE3
仓库库存编号：
SUM70090E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS429DNT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS429DNT-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7422E
仓库库存编号：
AON7422E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 1.5W（Ta）, 16W（Tc）
型号：
UPA2820T1S-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2820T1S-E2-AT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 130A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C442NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C442NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），127A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 130A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C442NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C442NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ951EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ951EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ951EP-T1-GE3
SQJ951EP-T1-GE3-ND
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无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12N60
仓库库存编号：
AOTF12N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 62W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD25N06-22L_T4GE3
仓库库存编号：
SQD25N06-22L_T4GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），127A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF12N60
仓库库存编号：
AOWF12N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta）, 130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C442NLTT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C442NLTT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12T60P
仓库库存编号：
AOTF12T60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD25N06-22L_GE3
仓库库存编号：
SQD25N06-22L_GE3-ND
别名：SQD25N06-22L-GE3
SQD25N06-22L-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
型号：
AOW12N60
仓库库存编号：
AOW12N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 150A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C423NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C423NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C423NLT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT12N60FD
仓库库存编号：
AOT12N60FD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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