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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12N60FD
仓库库存编号：
AOTF12N60FD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta）, 130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C442NLTT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C442NLTT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），127A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4925BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4925BDY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），127A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），130A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C442NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C442NLWFAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLWFAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ300N10TL
仓库库存编号：
RSJ300N10TL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB12N60FDL
仓库库存编号：
785-1617-1-ND
别名：785-1617-1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11C60P
仓库库存编号：
AOTF11C60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11C60PL
仓库库存编号：
785-1715-5-ND
别名：785-1715-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP60N06-15_GE3
仓库库存编号：
SQP60N06-15_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 298W（Tc） TO-220
型号：
AOT11C60PL
仓库库存编号：
785-1710-5-ND
别名：785-1710-5
AOT11C60PL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
型号：
NVB25P06T4G
仓库库存编号：
NVB25P06T4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB22P10TM_F085
仓库库存编号：
FQB22P10TM_F085CT-ND
别名：FQB22P10TM_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 56A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 107W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM60N06-15_GE3
仓库库存编号：
SQM60N06-15_GE3-ND
别名：SQM60N06-15-GE3
SQM60N06-15-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5016ANJTL
仓库库存编号：
R5016ANJTL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） LPTS
型号：
R6015ANJTL
仓库库存编号：
R6015ANJTL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R5016ANX
仓库库存编号：
R5016ANX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH22N50P
仓库库存编号：
IXTH22N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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