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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 22A(Tc) 350W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV22N50PS
仓库库存编号:
IXFV22N50PS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 360W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV18N60P
仓库库存编号:
IXFV18N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 360W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV18N60PS
仓库库存编号:
IXFV18N60PS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NTB25P06
仓库库存编号:
NTB25P06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4480DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4480DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD472
仓库库存编号:
785-1111-1-ND
别名:785-1111-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 85A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),75W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1440
仓库库存编号:
785-1127-1-ND
别名:785-1127-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 450V 17A(Tc) TO-220F
型号:
FDPF17N45T
仓库库存编号:
FDPF17N45T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8036-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8036-H(TE12L,Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 35A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR838DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR838DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR838DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4542DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4542DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR406DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR406DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD5836NLR2G
仓库库存编号:
NTMD5836NLR2GOSCT-ND
别名:NTMD5836NLR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS5835NLR2G
仓库库存编号:
NTMS5835NLR2GOSCT-ND
别名:NTMS5835NLR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4498E
仓库库存编号:
785-1553-1-ND
别名:785-1553-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4588
仓库库存编号:
785-1554-1-ND
别名:785-1554-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4542DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4542DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4542DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12T60PL
仓库库存编号:
785-1700-1-ND
别名:785-1700-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-Z-E1-AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4498EL
仓库库存编号:
AO4498EL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7422E_101
仓库库存编号:
AON7422E_101-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF11C60P_001
仓库库存编号:
AOTF11C60P_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF12T60
仓库库存编号:
AOTF12T60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF12T60L
仓库库存编号:
AOTF12T60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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