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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP25NM60ND
  仓库库存编号：497-8446-5-ND
  别名：497-8446-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 60W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N05LSM9A
  仓库库存编号：RFD16N05LSM9ACT-ND
  别名：RFD16N05LSM9ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT7M120B
  仓库库存编号：APT7M120B-ND
  别名：APT7M120BMI
  APT7M120BMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30PBF
  仓库库存编号：IRFBG30PBF-ND
  别名：*IRFBG30PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB050AN06A0
  仓库库存编号：FDB050AN06A0CT-ND
  别名：FDB050AN06A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CP
  仓库库存编号：IPB60R099CPCT-ND
  别名：IPB60R099CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R099CP
  IPP60R099CPIN
  IPP60R099CPIN-ND
  IPP60R099CPXK
  IPP60R099CSIN
  IPP60R099CSIN-ND
  IPP60R099CSX
  IPP60R099CSXTIN
  IPP60R099CSXTIN-ND
  SP000057021
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP34NM60N
  仓库库存编号：497-10884-5-ND
  别名：497-10884-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7241TRPBF
  仓库库存编号：IRF7241PBFCT-ND
  别名：*IRF7241TRPBF
  IRF7241PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Ta），68A（Tc） 1.04W（Ta），75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4302T4G
  仓库库存编号：NTD4302T4GOSCT-ND
  别名：NTD4302T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW25NM60ND
  仓库库存编号：497-8455-5-ND
  别名：497-8455-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CP
  仓库库存编号：IPW60R099CP-ND
  别名：IPW60R099CPFKSA1
  IPW60R099CPXK
  IPW60R099CSX
  SP000067147
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 150A（Tc） 132W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR9203PL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR9203PLL1QCT-ND
  别名：TPHR9203PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8487DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8487DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8487DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：CWDM3011P TR13
  仓库库存编号：CWDM3011P CT-ND
  别名：CWDM3011P CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ444EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），80A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8360L
  仓库库存编号：FDMC8360LCT-ND
  别名：FDMC8360LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40NF10T4
  仓库库存编号：497-6552-1-ND
  别名：497-6552-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 96W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL120N4LF6AG
  仓库库存编号：497-16511-1-ND
  别名：497-16511-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.3W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS3006SDC
  仓库库存编号：FDMS3006SDCCT-ND
  别名：FDMS3006SDCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ330N25TL
  仓库库存编号：RCJ330N25TLCT-ND
  别名：RCJ330N25TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB120N4LF6
  仓库库存编号：497-11096-1-ND
  别名：497-11096-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 80V 16A POWER 5X6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8580
  仓库库存编号：FDMD8580CT-ND
  别名：FDMD8580CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7994DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7994DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7994DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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