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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW45N65M5
仓库库存编号:
497-12938-5-ND
别名:497-12938-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC6679AZ
仓库库存编号:
FDMC6679AZFSCT-ND
别名:FDMC6679AZFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF45N65M5
仓库库存编号:
497-12939-5-ND
别名:497-12939-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3GATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 350W(Tc) TO-247-4L
型号:
STW56N60M2-4
仓库库存编号:
497-15578-5-ND
别名:497-15578-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 9.2A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) Power56
型号:
FDMS3500
仓库库存编号:
FDMS3500CT-ND
别名:FDMS3500CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-75B,118
仓库库存编号:
1727-5248-1-ND
别名:1727-5248-1
568-6572-1
568-6572-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NM60N
仓库库存编号:
497-8457-5-ND
别名:497-8457-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252
型号:
DMP4010SK3Q-13
仓库库存编号:
DMP4010SK3Q-13DICT-ND
别名:DMP4010SK3Q-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 14A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),45A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMPH4015SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH4015SK3Q-13DICT-ND
别名:DMPH4015SK3Q-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 28A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8051-H(T2L1,VM
仓库库存编号:
TPCA8051-H(T2L1VMCT-ND
别名:TPCA8051-H(T2L1VMCT
TPCA8051-HTE12LQCT
TPCA8051-HTE12LQCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6699S
仓库库存编号:
FDS6699SCT-ND
别名:FDS6699SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R7-30B,118
仓库库存编号:
1727-5251-1-ND
别名:1727-5251-1
568-6575-1
568-6575-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 130W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STLD125N4F6AG
仓库库存编号:
497-17147-1-ND
别名:497-17147-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA80R310CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA2-ND
别名:SP001313398
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB45N65M5
仓库库存编号:
497-12940-1-ND
别名:497-12940-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 350W(Tc) TO-247
型号:
STW56N60M2
仓库库存编号:
497-15577-5-ND
别名:497-15577-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP45N65M5
仓库库存编号:
497-12937-5-ND
别名:497-12937-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS38N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS38N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS38N20DTRLPCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB38N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB38N20DPBF-ND
别名:*IRFB38N20DPBF
SP001556010
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1065-1-ND
别名:1727-1065-1
568-10175-1
568-10175-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
型号:
DMPH4015SSSQ-13
仓库库存编号:
DMPH4015SSSQ-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 45A(Tc) 3.3W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH4015SK3-13
仓库库存编号:
DMPH4015SK3-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.3W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMP4010SK3-13
仓库库存编号:
DMP4010SK3-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH4015SPS-13
仓库库存编号:
DMPH4015SPS-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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