品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA80R310CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA2-ND
别名:SP001313398
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS38N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS38N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS38N20DTRLPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB38N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB38N20DPBF-ND
别名:*IRFB38N20DPBF
SP001556010
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名:SP001102592
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102622
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102616
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 43A(Tc) TO-262
型号:
IRFSL38N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL38N20DPBF-ND
别名:SP001557568
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.8A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R310CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R310CEXKSA1-ND
别名:SP001271076
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
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