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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP30NQ15T,127
  仓库库存编号：1727-4646-ND
  别名：1727-4646
  568-5763
  568-5763-5
  568-5763-5-ND
  568-5763-ND
  934055759127
  PHP30NQ15T
  PHP30NQ15T,127-ND
  PHP30NQ15T-ND
  PHP30NQ15T127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD140N6F7
  仓库库存编号：497-16937-1-ND
  别名：497-16937-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86322
  仓库库存编号：FDMS86322CT-ND
  别名：FDMS86322CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD25NF10T4
  仓库库存编号：497-7962-1-ND
  别名：497-7962-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP086N10N3 G
  IPP086N10N3 G-ND
  IPP086N10N3G
  SP000680840
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB35NF10T4
  仓库库存编号：497-7947-1-ND
  别名：497-7947-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7113DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7113DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7113DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60W5S5VX-ND
  别名：TK20A60W5,S5VX(M
  TK20A60W5,S5VX-ND
  TK20A60W5S5VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP170N60
  仓库库存编号：FCP170N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH170N60
  仓库库存编号：FCH170N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15896-1-ND
  别名：497-15896-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB19NM65N
  仓库库存编号：497-7001-1-ND
  别名：497-7001-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC042N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC042N03MSGINCT
  BSC042N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO051N03MS G
  仓库库存编号：BSO051N03MS GINCT-ND
  别名：BSO051N03MS GINCT
  BSO051N03MSG
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN063-150D,118
  仓库库存编号：1727-2164-1-ND
  别名：1727-2164-1
  568-11936-1
  568-11936-1-ND
  568-12326-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC014N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC014N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC014N04LSIATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB108N15N3 G
  仓库库存编号：IPB108N15N3 GCT-ND
  别名：IPB108N15N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF10
  仓库库存编号：497-7520-5-ND
  别名：497-7520-5
  STP30NF10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N50CF
  仓库库存编号：FQPF11N50CF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP36P15P
  仓库库存编号：IXTP36P15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 33W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF140N6F7
  仓库库存编号：497-16970-ND
  别名：497-16970
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60W5S1VF-ND
  别名：TK20N60W5,S1VF(S
  TK20N60W5S1VF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36P15P
  仓库库存编号：IXTQ36P15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD201N10TL
  仓库库存编号：RSD201N10TLCT-ND
  别名：RSD201N10TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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