以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH320N10T2
  仓库库存编号：IXFH320N10T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB150N65X2
  仓库库存编号：IXFB150N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE40NC60
  仓库库存编号：497-3169-5-ND
  别名：497-3169-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT320N10T2
  仓库库存编号：IXFT320N10T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW220NF75
  仓库库存编号：497-4124-5-ND
  别名：497-4124-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 730W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK250N10
  仓库库存编号：IXTK250N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
  
  型号：VWM200-01P
  仓库库存编号：VWM200-01P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 430nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索