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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW45NM60
  仓库库存编号：497-2768-5-ND
  别名：497-2768-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB120N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB120N04S402ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7440TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7440TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7440TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7440PBF
  仓库库存编号：IRFU7440PBF-ND
  别名：SP001565158
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM40P10-40L_GE3
  仓库库存编号：SQM40P10-40L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI120N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N04S402AKSA1-ND
  别名：IPI120N04S4-02
  IPI120N04S4-02-ND
  SP000764742
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
  
  型号：AUIRF7737L2TR
  仓库库存编号：AUIRF7737L2TR-ND
  别名：SP001519412
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 650V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM60
  仓库库存编号：497-3171-5-ND
  别名：497-3171-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 105W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3L-08
  仓库库存编号：IPI80N06S3L-08IN-ND
  别名：IPI80N06S3L-08-ND
  IPI80N06S3L-08IN
  IPI80N06S3L08X
  IPI80N06S3L08XK
  SP000088131
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 105W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S3L-08
  仓库库存编号：IPP80N06S3L-08IN-ND
  别名：IPP80N06S3L-08-ND
  IPP80N06S3L-08IN
  IPP80N06S3L08X
  IPP80N06S3L08XK
  SP000088127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S402AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S4-02
  IPP120N04S4-02-ND
  SP000764734
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
  
  型号：IRF7737L2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7737L2TRPBFTR-ND
  别名：IRF7737L2TRPBFTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 134nC @ 10V,
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