品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(27)
分立半导体产品
(27)
筛选品牌
Infineon Technologies (27)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB072N15N3 G
仓库库存编号:
IPB072N15N3 GCT-ND
别名:IPB072N15N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB065N15N3 G
仓库库存编号:
IPB065N15N3 GCT-ND
别名:IPB065N15N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R045C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R045C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R045C7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW65R045C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R045C7FKSA1-ND
别名:SP000929412
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R045C7XKSA1-ND
别名:SP000929422
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247
型号:
IPZ65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001024004
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1104PBF
仓库库存编号:
IRF1104PBF-ND
别名:*IRF1104PBF
SP001570050
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPA075N15N3 G
仓库库存编号:
IPA075N15N3 G-ND
别名:IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GXKSA1-ND
别名:SP000680676
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7446GPBF
仓库库存编号:
IRFB7446GPBF-ND
别名:SP001566710
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB080N06N G
仓库库存编号:
IPB080N06NGINCT-ND
别名:IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7446PBF
仓库库存编号:
IRFB7446PBF-ND
别名:SP001577760
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 123A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8403TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFS8403TRL-ND
别名:IFAUIRFS8403TRL
SP001518080
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 123A(Tc) 99W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL8403
仓库库存编号:
IRAUIRFSL8403-ND
别名:IRAUIRFSL8403
SP001520686
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001080092
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRF1104L
仓库库存编号:
IRF1104L-ND
别名:*IRF1104L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104S
仓库库存编号:
IRF1104S-ND
别名:*IRF1104S
SP001563014
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104STRL
仓库库存编号:
IRF1104STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104STRR
仓库库存编号:
IRF1104STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP080N06N G
仓库库存编号:
IPP080N06N G-ND
别名:IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名:IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名:IRFR3505TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 130A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名:IPB065N15N3 G E8187CT
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 93nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号