以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60L2
  仓库库存编号：IXTH30N60L2-ND
  别名：622201
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60L2
  仓库库存编号：IXTT30N60L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 130A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN160N30T
  仓库库存编号：IXFN160N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR812DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR812DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR812DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK160N30T
  仓库库存编号：IXFK160N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX160N30T
  仓库库存编号：IXFX160N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N60L2
  仓库库存编号：IXTQ30N60L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F160N30T
  仓库库存编号：MMIX1F160N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 335nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索