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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 446W（Tc） TO-247
型号：
STW21N150K5
仓库库存编号：
497-16028-5-ND
别名：497-16028-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB64N25S320ATMA1
仓库库存编号：
IPB64N25S320ATMA1CT-ND
别名：IPB64N25S320ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号：
IRFR4104PBFCT-ND
别名：*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ48NPBF
仓库库存编号：
IRFIZ48NPBF-ND
别名：*IRFIZ48NPBF
SP001572624
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP048NPBF
仓库库存编号：
IRFP048NPBF-ND
别名：*IRFP048NPBF
SP001567000
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号：
IRFR7746TRPBFCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC014N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC014N06NS
BSC014N06NS-ND
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247
型号：
STW40N90K5
仓库库存编号：
497-17090-ND
别名：497-17090
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA40N90K5
仓库库存编号：
497-17091-ND
别名：497-17091
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7746PBF
仓库库存编号：
IRFR7746PBF-ND
别名：SP001576124
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS52N15DTRLP
仓库库存编号：
IRFS52N15DTRLPCT-ND
别名：IRFS52N15DTRLPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB52N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB52N15DPBF-ND
别名：*IRFB52N15DPBF
SP001572332
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP16NK65Z
仓库库存编号：
497-4119-5-ND
别名：497-4119-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 33V 80A（Tc） 115W（Tc） TO-220
型号：
AOT500
仓库库存编号：
AOT500-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 41A DFN5
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），270A（Tc） 3.2W（Ta）, 140W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5H409NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5H409NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5H409NLT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 85A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD85P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPD85P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842066
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842038
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842044
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842042
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 99W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7746PBF
仓库库存编号：
IRFU7746PBF-ND
别名：SP001552464
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU4104
仓库库存编号：
AUIRFU4104-ND
别名：SP001518784
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STB16NK65Z-S
仓库库存编号：
497-4098-5-ND
别名：497-4098-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB16N50K
仓库库存编号：
IRFB16N50K-ND
别名：*IRFB16N50K
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB8N50K
仓库库存编号：
IRFIB8N50K-ND
别名：*IRFIB8N50K
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB16N50KPBF
仓库库存编号：
IRFB16N50KPBF-ND
别名：*IRFB16N50KPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
无铅
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