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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB8N50KPBF
  仓库库存编号：IRFIB8N50KPBF-ND
  别名：*IRFIB8N50KPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 36A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ48N
  仓库库存编号：IRFIZ48N-ND
  别名：*IRFIZ48N
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP048N
  仓库库存编号：IRFP048N-ND
  别名：*IRFP048N
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4104TR
  仓库库存编号：IRFR4104TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4104TRL
  仓库库存编号：IRFR4104TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4104TRR
  仓库库存编号：IRFR4104TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4104PBF
  仓库库存编号：IRFU4104PBF-ND
  别名：*IRFU4104PBF
  SP001578370
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3412PBF
  仓库库存编号：IRFU3412PBF-ND
  别名：*IRFU3412PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3412PBF
  仓库库存编号：IRFR3412PBF-ND
  别名：*IRFR3412PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4104-701PBF
  仓库库存编号：IRFU4104-701PBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3412TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3412TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3412TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR3412TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3412TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3412TRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR4104
  仓库库存编号：AUIRFR4104-ND
  别名：SP001515918
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 89nC @ 10V,
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