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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK40P50P
  仓库库存编号：IXTK40P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90P20P
  仓库库存编号：IXTK90P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX40P50P
  仓库库存编号：IXTX40P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90P20P
  仓库库存编号：IXTX90P20P-ND
  别名：620108
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN40P50P
  仓库库存编号：IXTN40P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P20P
  仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 22A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR40P50P
  仓库库存编号：IXTR40P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX250N10P
  仓库库存编号：IXFX250N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 250A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK250N10P
  仓库库存编号：IXFK250N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 90A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90P20P
  仓库库存编号：IXTN90P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120P04P404AKSA1
  仓库库存编号：IPP120P04P404AKSA1-ND
  别名：SP000842278
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120P04P404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120P04P404ATMA1-ND
  别名：SP000842270
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120P04P404AKSA1
  仓库库存编号：IPI120P04P404AKSA1-ND
  别名：SP000842274
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 63A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT55M65JFLL
  仓库库存编号：APT55M65JFLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 205nC @ 10V,
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