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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW55NM60ND
  仓库库存编号：497-7036-5-ND
  别名：497-7036-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4477DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4477DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4477DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
  SQM120N10-3M8_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP064PBF
  仓库库存编号：IRFP064PBF-ND
  别名：*IRFP064PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG50PBF
  仓库库存编号：IRFPG50PBF-ND
  别名：*IRFPG50PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 80A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK80N60P3
  仓库库存编号：IXFK80N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CP
  仓库库存编号：IPW60R045CPIN-ND
  别名：IPW60R045CP-ND
  IPW60R045CPFKSA1
  IPW60R045CPIN
  IPW60R045CPXK
  IPW60R045CSX
  SP000067149
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3710PBF
  仓库库存编号：IRFP3710PBF-ND
  别名：*IRFP3710PBF
  64-6014PBF
  64-6014PBF-ND
  SP001552026
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP32N50KPBF
  仓库库存编号：IRFP32N50KPBF-ND
  别名：*IRFP32N50KPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH70N60C5
  仓库库存编号：IXKH70N60C5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT60N60BCSG
  仓库库存编号：APT60N60BCSG-ND
  别名：APT60N60BCSGMI
  APT60N60BCSGMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7084TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7084TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7084TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB150NF55T4
  仓库库存编号：497-7934-1-ND
  别名：497-7934-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH21N50
  仓库库存编号：IXTH21N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N60P3
  仓库库存编号：IXFX80N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK90N20Q
  仓库库存编号：IXFK90N20Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60Q3
  仓库库存编号：IXFK64N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR47N60C5
  仓库库存编号：IXKR47N60C5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT170N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT170N25X3HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 170A（Tc） 390W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N25X3
  仓库库存编号：IXFN170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N60P3
  仓库库存编号：IXFN80N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60Q3
  仓库库存编号：IXFX64N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60Q3
  仓库库存编号：IXFR64N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7461DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7461DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7461DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
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