品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3710PBF
仓库库存编号:
IRFP3710PBF-ND
别名:*IRFP3710PBF
64-6014PBF
64-6014PBF-ND
SP001552026
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7084TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7084TRPBFCT-ND
别名:IRFH7084TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名:SP000979640
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名:SP000979924
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名:SP000539772
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 250W(Tc) TO-254AA
型号:
IRFM460
仓库库存编号:
IRFM460-ND
别名:Q1134250
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-H5-ND
别名:SP000014001
SPP80N06S2LH5
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
IPB80N06S2L-H5-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
SP000219067
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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