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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名:SP000979924
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名:SP000539772
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 51A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW55NM60N
仓库库存编号:
497-7622-5-ND
别名:497-7622-5
STW55NM60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW150NF55
仓库库存编号:
STW150NF55-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50
仓库库存编号:
IRFPG50-ND
别名:*IRFPG50
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064
仓库库存编号:
IRFP064-ND
别名:*IRFP064
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50K
仓库库存编号:
IRFP32N50K-ND
别名:*IRFP32N50K
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH32N50Q
仓库库存编号:
IXFH32N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP470
仓库库存编号:
IRFP470-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 83A(Tc) 1.8W(Ta),150W(Tc) TO-263
型号:
NP83P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
别名:NP83P06PDG-E1-AYCT
NP83P06PDGE1AY
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXTH)
型号:
IXTH21N50Q
仓库库存编号:
IXTH21N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 250W(Tc) TO-254AA
型号:
IRFM460
仓库库存编号:
IRFM460-ND
别名:Q1134250
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-H5-ND
别名:SP000014001
SPP80N06S2LH5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
IPB80N06S2L-H5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
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