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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT02N450HV
  仓库库存编号：IXTT02N450HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3474DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3474DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3474DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2392ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392ADS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050NE2LS
  仓库库存编号：BSC050NE2LSCT-ND
  别名：BSC050NE2LSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 34W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN9R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5910-1-ND
  别名：1727-5910-1
  568-7593-1
  568-7593-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）
  
  型号：SI2324DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2324DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2324DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK7K12-60EX
  仓库库存编号：1727-1891-1-ND
  别名：1727-1891-1
  568-11624-1
  568-11624-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 78W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF02N450
  仓库库存编号：IXTF02N450-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y113-100EX
  仓库库存编号：1727-1105-1-ND
  别名：1727-1105-1
  568-10260-1
  568-10260-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y43-60EX
  仓库库存编号：1727-1112-1-ND
  别名：1727-1112-1
  568-10267-1
  568-10267-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4500V 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N450HV
  仓库库存编号：IXTA02N450HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2392DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO220N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO220N03MS GINCT
  BSO220N03MS GINCT-ND
  BSO220N03MSG
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.9A（Ta），21A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS8242TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS8242TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS8242TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 10V,
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