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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK55N50
  仓库库存编号：IXFK55N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），270A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7739L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7739L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7739L1TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N60
  仓库库存编号：IXFK44N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4004PBF
  仓库库存编号：IRFP4004PBF-ND
  别名：SP001556734
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83.2A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R037C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R037C6FKSA1-ND
  别名：SP000756284
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N60KPBF
  仓库库存编号：IRFPS40N60KPBF-ND
  别名：*IRFPS40N60KPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120P04-04L_GE3
  仓库库存编号：SQM120P04-04L_GE3CT-ND
  别名：SQM120P04-04L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120N06-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND
  别名：SQM120N06-3M5L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7739L2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7739L2TRPBFDKR-ND
  别名：IRF7739L2TRPBFDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N60
  仓库库存编号：IXFX44N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN55N50
  仓库库存编号：IXFN55N50-ND
  别名：470724
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT66F60B2
  仓库库存编号：APT66F60B2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47M60J
  仓库库存编号：APT47M60J-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47F60J
  仓库库存编号：APT47F60J-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6411
  仓库库存编号：785-1495-1-ND
  别名：785-1495-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 98A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY100NM60N
  仓库库存编号：497-13289-5-ND
  别名：497-13289-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX55N50
  仓库库存编号：IXFX55N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N06-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQP120N06-3M5L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH360N055T2
  仓库库存编号：IXTH360N055T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 360A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 360A（Tc） 935W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT360N055T2
  仓库库存编号：IXTT360N055T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT66M60B2
  仓库库存编号：APT66M60B2-ND
  别名：APT66M60B2MI
  APT66M60B2MI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N60
  仓库库存编号：IXFR44N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK50N50
  仓库库存编号：IXFK50N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 520W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX50N50
  仓库库存编号：IXFX50N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 43A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR50N50
  仓库库存编号：IXFR50N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 330nC @ 10V,
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