规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U2
仓库库存编号:
IXFN48N50U2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U3
仓库库存编号:
IXFN48N50U3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TDG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DDA12T1G
仓库库存编号:
APTC90DDA12T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DSK12T1G
仓库库存编号:
APTC90DSK12T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
型号:
APTC90H12T2G
仓库库存编号:
APTC90H12T2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A 417W TO-3PN
型号:
FCA47N60F_SN00171
仓库库存编号:
FCA47N60F_SN00171-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF2907ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZLPBF-ND
别名:SP001576784
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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