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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10L2
  仓库库存编号：IXTK200N10L2-ND
  别名：Q7017004
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4468PBF
  仓库库存编号：IRFP4468PBF-ND
  别名：SP001554960
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60T1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60T1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90AM60T1G
  仓库库存编号：APTC90AM60T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC90AM602G
  仓库库存编号：APTC90AM602G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60CT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60CT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC90AM60SCTG
  仓库库存编号：APTC90AM60SCTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC90HM60T3G
  仓库库存编号：APTC90HM60T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC90TAM60TPG
  仓库库存编号：APTC90TAM60TPG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 540nC @ 10V,
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