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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 280A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN280N085
  仓库库存编号：IXFN280N085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 580nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C3G
  仓库库存编号：APT94N65B2C3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 580nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 116A 625W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TAM21SCTPAG
  仓库库存编号：APTC60TAM21SCTPAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 580nC @ 10V,
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