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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 230A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N10
  仓库库存编号：IXFN230N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4368PBF
  仓库库存编号：IRFP4368PBF-ND
  别名：SP001556774
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 60W（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M80J
  仓库库存编号：APT58M80J-ND
  别名：APT58M80JMI
  APT58M80JMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 57A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT53F80J
  仓库库存编号：APT53F80J-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT41F100J
  仓库库存编号：APT41F100J-ND
  别名：APT41F100JMI
  APT41F100JMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 45A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT45M100J
  仓库库存编号：APT45M100J-ND
  别名：APT45M100JMI
  APT45M100JMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 40A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA18T1G
  仓库库存编号：APTM100DA18T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 570nC @ 10V,
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