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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
  
  型号：2N7002K-T1-GE3
  仓库库存编号：2N7002K-T1-GE3CT-ND
  别名：2N7002K-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 370mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002BK,215
  仓库库存编号：1727-4789-1-ND
  别名：1727-4789-1
  568-5981-1
  568-5981-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 340mA 350mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：2N7002BKV,115
  仓库库存编号：1727-4787-1-ND
  别名：1727-4787-1
  568-5979-1
  568-5979-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：SI1026X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1026X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1026X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 330mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1022R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1022R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1022R-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002E-T1-E3
  仓库库存编号：2N7002E-T1-E3CT-ND
  别名：2N7002E-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：T2N7002BK,LM
  仓库库存编号：T2N7002BKLMCT-ND
  别名：T2N7002BKLMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 520mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN53D0U-7
  仓库库存编号：DMN53D0U-7DICT-ND
  别名：DMN53D0U-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN53D0L-7
  仓库库存编号：DMN53D0L-7DICT-ND
  别名：DMN53D0L-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 275mW（Ta） SOT-323-3
  
  型号：2N7002BKW,115
  仓库库存编号：1727-4788-1-ND
  别名：1727-4788-1
  568-5980-1
  568-5980-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DMN53D0LDW-7
  仓库库存编号：DMN53D0LDW-7DICT-ND
  别名：DMN53D0LDW-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 300mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP32D4S-13
  仓库库存编号：DMP32D4S-13DICT-ND
  别名：DMP32D4S-13DICT
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 295mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：2N7002BKS,115
  仓库库存编号：1727-4786-1-ND
  别名：1727-4786-1
  568-5977-1
  568-5977-1-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1330EDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1330EDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1330EDL-T1-E3CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.4A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 400mA（Ta） 270mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3K7002KF,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002KFLFCT-ND
  别名：SSM3K7002KFLFCT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 500mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN53D0LQ-7
  仓库库存编号：DMN53D0LQ-7DICT-ND
  别名：DMN53D0LQ-7DICT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.4A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K72KCT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K72KCTL3FCT-ND
  别名：SSM3K72KCTL3FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 350mW（Ta）
  
  型号：2N7002E-T1-GE3
  仓库库存编号：2N7002E-T1-GE3CT-ND
  别名：2N7002E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1330EDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1330EDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1330EDL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002K-T1-E3
  仓库库存编号：2N7002K-T1-E3CT-ND
  别名：2N7002K-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450mA（Ta） 360mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：2N7002BKM,315
  仓库库存编号：1727-4785-1-ND
  别名：1727-4785-1
  568-5976-1
  568-5976-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 285mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N7002KFU,LF
  仓库库存编号：SSM6N7002KFULFCT-ND
  别名：SSM6N7002KFULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450mA（Ta） 360mW（Ta） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：2N7002BKMB,315
  仓库库存编号：1727-1233-1-ND
  别名：1727-1233-1
  568-10438-1
  568-10438-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN53D0LQ-13
  仓库库存编号：DMN53D0LQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 290mA（Ta） 260mW（Ta） SC-75
  
  型号：2N7002BKT,115
  仓库库存编号：568-5978-1-ND
  别名：568-5978-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V,
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