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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：T2N7002AK,LM
  仓库库存编号：T2N7002AKLMCT-ND
  别名：T2N7002AKLM(BCT
  T2N7002AKLM(BCT-ND
  T2N7002AKLMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002H-7
  仓库库存编号：2N7002H-7DICT-ND
  别名：2N7002H-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 170mA 285mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N7002CFU,LF
  仓库库存编号：SSM6N7002CFULFCT-ND
  别名：SSM6N7002CFULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 390mW（Ta） X2-DFN0606-3
  
  型号：DMP32D9UFZ-7B
  仓库库存编号：DMP32D9UFZ-7BDICT-ND
  别名：DMP32D9UFZ-7BDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3K72CTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3K72CTCL3FCT-ND
  别名：SSM3K72CTCL3FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K7002CFU,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002CFULFCT-ND
  别名：SSM3K7002CFULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 393mW（Ta） X2-DFN0606-3
  
  型号：DMN31D5UFZ-7B
  仓库库存编号：DMN31D5UFZ-7BDICT-ND
  别名：DMN31D5UFZ-7BDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG302PU-7
  仓库库存编号：DMG302PU-7DICT-ND
  别名：DMG302PU-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.17A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K72CFS,LF
  仓库库存编号：SSM3K72CFSLFCT-ND
  别名：SSM3K72CFSLFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 320mW SOT-523
  
  型号：DMN31D6UT-13
  仓库库存编号：DMN31D6UT-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 320mW SOT-523
  
  型号：DMN31D6UT-7
  仓库库存编号：DMN31D6UT-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 145mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMP213DUFA-7B
  仓库库存编号：DMP213DUFA-7B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG302PU-13
  仓库库存编号：DMG302PU-13DITR-ND
  别名：DMG302PU-13DITR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PMGD8000LN,115
  仓库库存编号：568-2370-1-ND
  别名：568-2370-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.35nC @ 4.5V,
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