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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138L
仓库库存编号:
BSS138LCT-ND
别名:BSS138LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138CT-ND
别名:BSS138CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138K
仓库库存编号:
BSS138KCT-ND
别名:BSS138KCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23
型号:
BSS138_F085
仓库库存编号:
BSS138_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3459-TL-W
仓库库存编号:
CPH3459-TL-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET N-CH 50V LL
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138-DIE-ND
别名:BSS138-DIE
BSS138-ND
FCBSS138
FCBSS138-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138_L99Z
仓库库存编号:
BSS138_L99Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138_D87Z
仓库库存编号:
BSS138_D87ZCT-ND
别名:BSS138_D87ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123E6327T
仓库库存编号:
BSP123XTINCT-ND
别名:BSP123XTINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V,
含铅
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