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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN10H700S-7
  仓库库存编号：DMN10H700S-7DICT-ND
  别名：DMN10H700S-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH114,215
  仓库库存编号：1727-6214-1-ND
  别名：1727-6214-1
  568-8025-1
  568-8025-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN10H700S-13
  仓库库存编号：DMN10H700S-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV117EN,215
  仓库库存编号：568-8111-1-ND
  别名：568-8111-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.7A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：SI2304DS,215
  仓库库存编号：568-5957-1-ND
  别名：568-5957-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.6nC @ 10V,
• 无铅
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