规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.75W(Ta) TSOT-26
型号:
DMG6402LVT-7
仓库库存编号:
DMG6402LVT-7DICT-ND
别名:DMG6402LVT-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ16DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSZ16DN25NS3GCT-ND
别名:BSZ16DN25NS3GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC16DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSC16DN25NS3GCT-ND
别名:BSC16DN25NS3GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 620mW(Ta), 77W(Tc) DPAK
型号:
CDM4-650 TR13
仓库库存编号:
CDM4-650 TR13CT-ND
别名:CDM4-650 TR13CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 1.6A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK70ZT4
仓库库存编号:
497-4331-1-ND
别名:497-4331-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 700V 1.6A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NK70Z-1
仓库库存编号:
497-12556-5-ND
别名:497-12556-5
STD2NK70Z-1-ND
STD2NK70Z1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 74W(Tc) TO-220
型号:
AOT2N60
仓库库存编号:
785-1185-5-ND
别名:785-1185-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220ML
型号:
BMS4003
仓库库存编号:
BMS4003-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60
仓库库存编号:
AOTF2N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60L
仓库库存编号:
AOTF2N60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V,
无铅
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