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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6402TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6402PBFCT-ND
  别名：*IRLML6402TRPBF
  IRLML6402PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2502TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2502PBFCT-ND
  别名：*IRLML2502TRPBF
  IRLML2502PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC658P
  仓库库存编号：FDC658PCT-ND
  别名：FDC658PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10LTM
  仓库库存编号：FQD13N10LTMCT-ND
  别名：FQD13N10LTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR120TRPBF
  IRLR120PBFCT
  IRLR120PBFCT-ND
  IRLR120TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N10LTU
  仓库库存编号：FQU13N10LTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520PBF
  仓库库存编号：IRL520PBF-ND
  别名：*IRL520PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL40N75LF3
  仓库库存编号：497-13535-1-ND
  别名：497-13535-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6402GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6402GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6402GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 93W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB66NQ03LT,118
  仓库库存编号：1727-4768-1-ND
  别名：1727-4768-1
  568-5945-1
  568-5945-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23F
  
  型号：CMPDM202PH TR
  仓库库存编号：CMPDM202PH CT-ND
  别名：CMPDM202PH CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD200N05TL
  仓库库存编号：RSD200N05TLCT-ND
  别名：RSD200N05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2502GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML2502GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML2502GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10L
  仓库库存编号：FQP13N10L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Tc） 850mW（Ta），15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD046P05TL
  仓库库存编号：RSD046P05TLCT-ND
  别名：RSD046P05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 65W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y25-60E,115
  仓库库存编号：1727-1496-1-ND
  别名：1727-1496-1
  568-10976-1
  568-10976-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD120PBF
  仓库库存编号：IRLD120PBF-ND
  别名：*IRLD120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB417EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB417EDK-T1-GE3TR-ND
  别名：SIB417EDK-T1-GE3TR
  SIB417EDKT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL520LPBF
  仓库库存编号：IRL520LPBF-ND
  别名：*IRL520LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI520GPBF
  仓库库存编号：IRLI520GPBF-ND
  别名：*IRLI520GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120
  仓库库存编号：IRLR120-ND
  别名：*IRLR120
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TR
  仓库库存编号：IRLR120TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRL
  仓库库存编号：IRLR120TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6994S
  仓库库存编号：FDS6994SFSCT-ND
  别名：FDS6994SFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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