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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH7030L,115
  仓库库存编号：568-2349-1-ND
  别名：568-2349-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD120
  仓库库存编号：IRLD120-ND
  别名：*IRLD120
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520
  仓库库存编号：IRL520-ND
  别名：*IRL520
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI520G
  仓库库存编号：IRLI520G-ND
  别名：*IRLI520G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL520L
  仓库库存编号：IRL520L-ND
  别名：*IRL520L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520S
  仓库库存编号：IRL520S-ND
  别名：*IRL520S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520STRL
  仓库库存编号：IRL520STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520STRR
  仓库库存编号：IRL520STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRR
  仓库库存编号：IRLR120TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU120PBF
  仓库库存编号：IRLU120PBF-ND
  别名：*IRLU120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6982
  仓库库存编号：FDS6982CT-ND
  别名：FDS6982CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
  
  型号：FDR8508P
  仓库库存编号：FDR8508P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10L
  仓库库存编号：FQPF13N10L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2516NZ
  仓库库存编号：FDW2516NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10LTF
  仓库库存编号：FQD13N10LTF-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12.8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB13N10LTM
  仓库库存编号：FQB13N10LTM-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5920DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5920DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5920DC-T1-E3CT
  SI5920DCT1E3
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 8.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6984S
  仓库库存编号：FDS6984SCT-ND
  别名：FDS6984SCT
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6982S
  仓库库存编号：FDS6982S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10LTM_NBEL001
  仓库库存编号：FQD13N10LTM_NBEL001-ND
  
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  MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5920DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5920DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5920DC-T1-GE3CT
  SI5920DCT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4816DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4818DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4818DY-T1-E3-ND
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4818DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4818DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4816DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4816DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 5V,
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