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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML0060TRPBF
仓库库存编号:
IRLML0060TRPBFCT-ND
别名:IRLML0060TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML0100TRPBF
仓库库存编号:
IRLML0100TRPBFCT-ND
别名:IRLML0100TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF015N02TL
仓库库存编号:
RUF015N02TLCT-ND
别名:RUF015N02TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA
型号:
CSD75208W1015
仓库库存编号:
296-38339-1-ND
别名:296-38339-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6308P
仓库库存编号:
FDG6308PCT-ND
别名:FDG6308PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
型号:
US6K4TR
仓库库存编号:
US6K4CT-ND
别名:US6K4CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U34TR
仓库库存编号:
QS5U34CT-ND
别名:QS5U34CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1023CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1023CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1023CX-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3155CT1G
仓库库存编号:
NTZD3155CT1GOSCT-ND
别名:NTZD3155CT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3154NT1G
仓库库存编号:
NTZD3154NT1GOSCT-ND
别名:NTZD3154NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA
型号:
CSD75208W1015T
仓库库存编号:
296-38340-1-ND
别名:296-38340-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3152PT1G
仓库库存编号:
NTZD3152PT1GOSCT-ND
别名:NTZD3152PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 450mA(Ta) 190mW(Ta)
型号:
SI1013CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1013CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1013CX-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3158PT1G
仓库库存编号:
NTZD3158PT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 250mW Surface Mount SOT-563-6
型号:
NTZD3152PT1H
仓库库存编号:
NTZD3152PT1H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563-6
型号:
NTZD3154NT1H
仓库库存编号:
NTZD3154NT1H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563-6
型号:
NTZD3155CT1H
仓库库存编号:
NTZD3155CT1H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-μDFN(2x2)
型号:
SSM6N55NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6N55NULF(TCT-ND
别名:SSM6N55NULF(TCT
SSM6N55NULFCT
SSM6N55NULFCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 1.4W U-WLB1010-4
型号:
DMP2042UCB4-7
仓库库存编号:
DMP2042UCB4-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1303EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDLT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3156CT1G
仓库库存编号:
NTZD3156CT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3156CT2G
仓库库存编号:
NTZD3156CT2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
NTZD3156CT5G
仓库库存编号:
NTZD3156CT5G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25301W1015
仓库库存编号:
296-24259-1-ND
别名:296-24259-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB95XNE,115
仓库库存编号:
568-10764-1-ND
别名:568-10764-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V,
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