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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6327XTSA1CT-ND
别名:BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K5TB1
仓库库存编号:
SH8K5TB1CT-ND
别名:SH8K5TB1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS351N
仓库库存编号:
NDS351NCT-ND
别名:NDS351NCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9400A
仓库库存编号:
FDS9400AFSCT-ND
别名:FDS9400AFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M2TB1
仓库库存编号:
SH8M2TB1CT-ND
别名:SH8M2TB1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
型号:
RSR010N10TL
仓库库存编号:
RSR010N10TLCT-ND
别名:RSR010N10TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8K5FU6TB
仓库库存编号:
SP8K5FU6TB-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M2FU6TB
仓库库存编号:
SP8M2FU6TB-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-223
型号:
BSS139H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6906XTSA1-ND
别名:SP000702612
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8K5TB
仓库库存编号:
SP8K5TBCT-ND
别名:SP8K5TBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 12V 2.4A, 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6432SH
仓库库存编号:
FDC6432SH-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
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