规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 870mA(Tc) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF370XN,115
仓库库存编号:
1727-5422-1-ND
别名:1727-5422-1
568-6871-1
568-6871-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.87A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ350XN,315
仓库库存编号:
568-7441-1-ND
别名:568-7441-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 740mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD370XN,115
仓库库存编号:
568-2367-1-ND
别名:568-2367-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 840mA(Tc) 530mW(Tc) SC-75
型号:
PMR370XN,115
仓库库存编号:
568-6869-1-ND
别名:568-6869-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 960mA(Ta) 690mW(Tc) 6-TSSOP
型号:
PMG370XN,115
仓库库存编号:
PMG370XN,115-ND
别名:934058291115
PMG370XN T/R
PMG370XN T/R-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.65nC @ 4.5V,
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