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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RUF020N02TL
仓库库存编号:
RUF020N02TLCT-ND
别名:RUF020N02TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6306P
仓库库存编号:
FDG6306PCT-ND
别名:FDG6306PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML9303TRPBF
仓库库存编号:
IRLML9303TRPBFCT-ND
别名:IRLML9303TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.21A(Ta) 470mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMN2300UFD-7
仓库库存编号:
DMN2300UFD-7DICT-ND
别名:DMN2300UFD-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
SI2333-TP
仓库库存编号:
SI2333-TPMSCT-ND
别名:SI2333-TPMSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1016CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1016CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1016CX-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
型号:
RUR020N02TL
仓库库存编号:
RUR020N02TLCT-ND
别名:RUR020N02TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1C020UNT2R
仓库库存编号:
RW1C020UNT2RTR-ND
别名:RW1C020UNT2R-ND
RW1C020UNT2RTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.13A, 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1563DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1563DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1563DH-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1917EDH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1917EDH-T1-E3CT-ND
别名:SI1917EDH-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TN0200K-T1-E3
仓库库存编号:
TN0200K-T1-E3CT-ND
别名:TN0200K-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6N42FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6N42FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6N42FE(TE85LF)CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.13A, 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1563DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1563DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1563DH-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.4A(Ta) 1.5W(Ta) UPAK
型号:
RQK0607AQDQS#H1
仓库库存编号:
RQK0607AQDQS#H1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4.5V,
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