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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RRR015P03TL
  仓库库存编号：RRR015P03TLCT-ND
  别名：RRR015P03TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB452DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB452DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB452DK-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：RHP030N03T100
  仓库库存编号：RHP030N03T100CT-ND
  别名：RHP030N03T100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GTB-ND
  别名：TSM1N45CT A3GTB
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GCT-ND
  别名：TSM1N45CT A3GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1E015RPT2R
  仓库库存编号：RW1E015RPT2RCT-ND
  别名：RW1E015RPT2RCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6002ENDTL
  仓库库存编号：R6002ENDTLCT-ND
  别名：R6002ENDTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N20TM
  仓库库存编号：FQD4N20TMFSCT-ND
  别名：FQD4N20TMFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3G-ND
  别名：TSM1N45CT B0G
  TSM1N45CT B0G-ND
  TSM1N45CT B0GTR
  TSM1N45CT B0GTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT4N20TF
  仓库库存编号：FQT4N20TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4N20TU
  仓库库存编号：FQU4N20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 27W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N20
  仓库库存编号：FQPF4N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N20TF
  仓库库存编号：FQD4N20TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N20
  仓库库存编号：FQP4N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N20TU
  仓库库存编号：FQI4N20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N20TM
  仓库库存编号：FQB4N20TMCT-ND
  别名：FQB4N20TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(F)
  仓库库存编号：2SJ360(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(TE12L,F)
  仓库库存编号：2SJ360(TE12L,F)-ND
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
  
  型号：AON7932
  仓库库存编号：785-1407-1-ND
  别名：785-1407-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 3.1A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4442
  仓库库存编号：AO4442-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 10A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD446
  仓库库存编号：AOD446-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)
  
  型号：AON7932_101
  仓库库存编号：AON7932_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1N45CW RPG
  仓库库存编号：TSM1N45CW RPGTR-ND
  别名：TSM1N45CW RPGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1N45CW RPG
  仓库库存编号：TSM1N45CW RPGCT-ND
  别名：TSM1N45CW RPGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM1N45CW RPG
  仓库库存编号：TSM1N45CW RPGDKR-ND
  别名：TSM1N45CW RPGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.5nC @ 10V,
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