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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3K341R,LF
  仓库库存编号：SSM3K341RLFCT-ND
  别名：SSM3K341RLFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P753Z
  仓库库存编号：FDFS2P753ZCT-ND
  别名：FDFS2P753ZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RDD050N20TL
  仓库库存编号：RDD050N20TLCT-ND
  别名：RDD050N20TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP373NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP373NH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGTR-ND
  别名：TSM900N06CW RPGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGCT-ND
  别名：TSM900N06CW RPGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGDKR-ND
  别名：TSM900N06CW RPGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGTR-ND
  别名：TSM950N10CW RPGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGCT-ND
  别名：TSM950N10CW RPGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGDKR-ND
  别名：TSM950N10CW RPGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM900N06CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM900N06CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM900N06CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N10CP ROGTR-ND
  别名：TSM900N10CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N10CP ROGCT-ND
  别名：TSM900N10CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM900N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM900N10CP ROGDKR-ND
  别名：TSM900N10CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM900N06CH X0G
  仓库库存编号：TSM900N06CH X0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM900N10CH X0G
  仓库库存编号：TSM900N10CH X0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY3N50P
  仓库库存编号：IXTY3N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N50P
  仓库库存编号：IXTP3N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N50P
  仓库库存编号：IXTA3N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N50PM
  仓库库存编号：IXFP3N50PM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL373SNH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL373SNH6327XTSA1-ND
  别名：SP000942916
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 1A（Tc） 3.1W（Ta） TO-92L
  
  型号：IRFNL210BTA_FP001
  仓库库存编号：IRFNL210BTA_FP001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 770mA（Tc） 2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：IRFM210BTF_FP001
  仓库库存编号：IRFM210BTF_FP001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V,
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