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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.8A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y107-80EX
  仓库库存编号：1727-1119-1-ND
  别名：1727-1119-1
  568-10274-1
  568-10274-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N20LTM
  仓库库存编号：FQD5N20LTMCT-ND
  别名：FQD5N20LTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N20L
  仓库库存编号：FQPF5N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N20L
  仓库库存编号：FQP5N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N20LTF
  仓库库存编号：FQD5N20LTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N20LTU
  仓库库存编号：FQI5N20LTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N20LTM
  仓库库存编号：FQB5N20LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Tc） 3.1W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7621DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7621DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7621DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.2nC @ 5V,
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