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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1050X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1050X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1050X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2015
  仓库库存编号：917-1019-1-ND
  别名：917-1019-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2015
  仓库库存编号：917-1019-6-ND
  别名：917-1019-6
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1050X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1050X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1050X-T1-E3CT
  SI1050XT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS070N03TB1
  仓库库存编号：RRS070N03TB1CT-ND
  别名：RRS070N03TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2815
  仓库库存编号：917-1036-1-ND
  别名：917-1036-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.6nC @ 5V,
• 含铅
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