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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC604P
  仓库库存编号：FDC604PCT-ND
  别名：FDC604PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8734TRPBF
  仓库库存编号：IRF8734TRPBFCT-ND
  别名：IRF8734TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4866DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4866DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4866DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA72DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA72DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA72DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA72DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA72DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.8W（Ta），108W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17575Q3T
  仓库库存编号：296-37961-1-ND
  别名：296-37961-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1A040ZPTR
  仓库库存编号：RT1A040ZPCT-ND
  别名：RT1A040ZPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 6.8W（Ta），65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-06P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-06P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-06P-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD35P6LLF6
  仓库库存编号：497-15462-1-ND
  别名：497-15462-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL42P6LLF6
  仓库库存编号：497-15479-1-ND
  别名：497-15479-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RZR040P01TL
  仓库库存编号：RZR040P01TLCT-ND
  别名：RZR040P01TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3493DDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3493DDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3493DDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 5W（Ta） 8-DFN（2x2）
  
  型号：AON2411
  仓库库存编号：785-1664-1-ND
  别名：785-1664-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6975DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6975DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4866DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4866DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6975DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6975DQ-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC027N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385616
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 60A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD60N03T4
  仓库库存编号：NTD60N03T4OS-ND
  别名：NTD60N03T4OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 5.4A（Tj） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS2101PT1
  仓库库存编号：NTHS2101PT1OS-ND
  别名：NTHS2101PT1OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 28V 60A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD60N03-001
  仓库库存编号：NTD60N03-001OS-ND
  别名：NTD60N03-001OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.8A（Tc） 1.92W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
  
  型号：FDM606P
  仓库库存编号：FDM606P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 8.2A 1.6W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2601NZ
  仓库库存编号：FDW2601NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：NDH832P
  仓库库存编号：NDH832P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V,
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