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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 740mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN3110S-7
  仓库库存编号：DMN3110S-7DICT-ND
  别名：DMN3110S-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6140LQ-7
  仓库库存编号：DMN6140LQ-7DICT-ND
  别名：DMN6140LQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4466
  仓库库存编号：785-1037-1-ND
  别名：785-1037-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N60DM2
  仓库库存编号：497-16928-1-ND
  别名：497-16928-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-26
  
  型号：DMN3051LDM-7
  仓库库存编号：DMN3051LDM-7DICT-ND
  别名：DMN3051LDM-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A14FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A14FCT-ND
  别名：ZXMN3A14FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6140L-7
  仓库库存编号：DMN6140L-7DICT-ND
  别名：DMN6140L-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RQ6E055BNTCR
  仓库库存编号：RQ6E055BNTCRCT-ND
  别名：RQ6E055BNTCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A14FQTA
  仓库库存编号：ZXMN3A14FQTA-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.9A, 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMC3035LSD-13
  仓库库存编号：DMC3035LSD-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5906DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5906DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5906DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6784
  仓库库存编号：JAN2N6784-ND
  别名：JAN2N6784-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6784U
  仓库库存编号：JAN2N6784U-ND
  别名：JAN2N6784U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：JANTX2N6784
  仓库库存编号：JANTX2N6784-ND
  别名：JANTX2N6784-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6784U
  仓库库存编号：JANTX2N6784U-ND
  别名：JANTX2N6784U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6784
  仓库库存编号：JANTXV2N6784-ND
  别名：JANTXV2N6784-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6784U
  仓库库存编号：JANTXV2N6784U-ND
  别名：JANTXV2N6784U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6784
  仓库库存编号：2N6784-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6784U
  仓库库存编号：2N6784U-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M009A020CG
  仓库库存编号：GP1M009A020CG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A020HG
  仓库库存编号：GP1M009A020HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M009A020PG
  仓库库存编号：GP1M009A020PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A020FG
  仓库库存编号：1560-1171-5-ND
  别名：1560-1171-1
  1560-1171-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4466_102
  仓库库存编号：AO4466_102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 10V,
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