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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2306BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2306BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2306BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2306BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2306BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW SOT-23
  
  型号：SI2306-TP
  仓库库存编号：SI2306-TPMSCT-ND
  别名：SI2306-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 31W（Ta） LFPAK33
  
  型号：BUK9M52-40EX
  仓库库存编号：1727-7317-1-ND
  别名：1727-7317-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2016C
  仓库库存编号：917-1080-1-ND
  别名：917-1080-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.5A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT6N06LT,135
  仓库库存编号：568-7367-1-ND
  别名：568-7367-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 5V,
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