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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：FDV303N
  仓库库存编号：FDV303NCT-ND
  别名：FDV303NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 680mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6303N
  仓库库存编号：FDC6303NCT-ND
  别名：FDC6303NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：CMPDM7002AHC TR
  仓库库存编号：CMPDM7002AHC CT-ND
  别名：CMPDM7002AHC CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 320mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF016N05TL
  仓库库存编号：RTF016N05TLCT-ND
  别名：RTF016N05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6303N
  仓库库存编号：FDG6303NCT-ND
  别名：FDG6303NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6321C
  仓库库存编号：FDG6321CCT-ND
  别名：FDG6321CCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 950mA（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG313N
  仓库库存编号：FDG313NFSCT-ND
  别名：FDG313NFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1W（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP2047UCB4-7
  仓库库存编号：DMP2047UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP2047UCB4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 360mW（Ta），5.68W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB350UPE
  仓库库存编号：1727-1473-1-ND
  别名：1727-1473-1
  568-10944-1
  568-10944-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD3100CT1G
  仓库库存编号：NTHD3100CT1GOSCT-ND
  别名：NTHD3100CT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3382-TL-W
  仓库库存编号：MCH3382-TL-WOSCT-ND
  别名：MCH3382-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 360mW（Ta），5.68W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB350UPEZ
  仓库库存编号：PMXB350UPEZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ020N05TR
  仓库库存编号：RTQ020N05TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6313N
  仓库库存编号：FDG6313N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 950mA（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG313N_D87Z
  仓库库存编号：FDG313N_D87Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6303N_D87Z
  仓库库存编号：FDG6303N_D87Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD3100CT1
  仓库库存编号：NTHD3100CT1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD3100CT3
  仓库库存编号：NTHD3100CT3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 570mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  
  型号：SI1905DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1905DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1905DL-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3382-TL-H
  仓库库存编号：MCH3382-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V,
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