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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2316BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2316BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2316BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2316BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2316BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1503TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS1503PBFCT-ND
  别名：*IRLMS1503TRPBF
  IRLMS1503PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta），4.7A（Tc） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXM62N03GTA
  仓库库存编号：ZXM62N03GCT-ND
  别名：ZXM62N03GCT
  ZXM62N03GTA-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 32W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU3400N80Z
  仓库库存编号：FCU3400N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 32W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD3400N80Z
  仓库库存编号：FCD3400N80ZCT-ND
  别名：FCD3400N80ZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 36.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB900CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB900CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB900CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 36.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB900CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB900CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB900CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 36.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB900CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB900CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB900CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 36.8W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60NB900CH C5G
  仓库库存编号：TSM60NB900CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXM62N03E6TA
  仓库库存编号：ZXM62N03E6DKR-ND
  别名：ZXM62N03E6DKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1503TR
  仓库库存编号：IRLMS1503CT-ND
  别名：*IRLMS1503TR
  IRLMS1503
  IRLMS1503CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V,
• 含铅
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