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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO9926BL_101
仓库库存编号:
AO9926BL_101-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名:SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS02N60C3
仓库库存编号:
SPS02N60C3-ND
别名:SP000235878
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.5nC @ 10V,
无铅
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