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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.2W 8-SO
  
  型号：DMP6110SSD-13
  仓库库存编号：DMP6110SSD-13DICT-ND
  别名：DMP6110SSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVT-7
  仓库库存编号：DMP6110SVT-7DICT-ND
  别名：DMP6110SVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVT-13
  仓库库存编号：DMP6110SVT-13DICT-ND
  别名：DMP6110SVT-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF15S65L
  仓库库存编号：785-1519-5-ND
  别名：AOTF15S65L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R750E6
  仓库库存编号：IPA60R750E6-ND
  别名：IPA60R750E6XKSA1
  SP000842480
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 760mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN3053L-7
  仓库库存编号：DMN3053L-7DICT-ND
  别名：DMN3053L-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001508822
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT15S65L
  仓库库存编号：785-1511-5-ND
  别名：AOT15S65L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.97W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP6110SFDF-7
  仓库库存编号：DMP6110SFDF-7DICT-ND
  别名：DMP6110SFDF-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.97W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP6110SFDF-13
  仓库库存编号：DMP6110SFDF-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-13
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Tc） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP6110SSDQ-13
  仓库库存编号：DMP6110SSDQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-7
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF15S65
  仓库库存编号：785-1529-5-ND
  别名：AOWF15S65-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB15S65L
  仓库库存编号：785-1543-1-ND
  别名：785-1543-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW15S65
  仓库库存编号：785-1525-5-ND
  别名：AOW15S65-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6ATMA1-ND
  别名：SP001117728
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 4.7 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8801L
  仓库库存编号：AO8801L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68A（Tc） 35.5W（Tc）
  
  型号：AON6532P
  仓库库存编号：AON6532P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296E6327
  仓库库存编号：BSP296INCT-ND
  别名：BSP296INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296 E6433
  仓库库存编号：BSP296 E6433-ND
  别名：BSP296E6433T
  SP000011107
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP296L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP296L6327INCT
  BSP296L6327INCT-ND
  BSP296XTINCT
  BSP296XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.2nC @ 10V,
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