规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD3102CT1G
仓库库存编号:
NTHD3102CT1GOSCT-ND
别名:NTHD3102CT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) DPAK
型号:
NTD4813NT4G
仓库库存编号:
NTD4813NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4813N-1G
仓库库存编号:
NTD4813N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4813N-35G
仓库库存编号:
NTD4813N-35G-ND
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