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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT4N20LTF
  仓库库存编号：FQT4N20LTFCT-ND
  别名：FQT4N20LTFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.8A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA3028N
  仓库库存编号：FDMA3028NCT-ND
  别名：FDMA3028NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH040P03TB1
  仓库库存编号：RRH040P03TB1CT-ND
  别名：RRH040P03TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1E025RPT2CR
  仓库库存编号：RW1E025RPT2CRCT-ND
  别名：RW1E025RPT2CRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT6
  
  型号：RRL025P03TR
  仓库库存编号：RRL025P03CT-ND
  别名：RRL025P03CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP4N20L
  仓库库存编号：FQP4N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RRR030P03TL
  仓库库存编号：RRR030P03TLCT-ND
  别名：RRR030P03TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8K31TB1
  仓库库存编号：SP8K31TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2016
  仓库库存编号：917-1027-1-ND
  别名：917-1027-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3A（Tc） 27W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N20L
  仓库库存编号：FQPF4N20L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.2A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N20LTM
  仓库库存编号：FQD4N20LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.2A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N20LTF
  仓库库存编号：FQD4N20LTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N20LTU
  仓库库存编号：FQI4N20LTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N20LTM
  仓库库存编号：FQB4N20LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10.3A（Tc） 33W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB11N06LT,118
  仓库库存编号：PHB11N06LT,118-ND
  别名：934055182118
  PHB11N06LT /T3
  PHB11N06LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V,
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